在MAX+PLUSⅡ中有幾個功能單元描述庫。prim邏輯元庫，包括基本邏輯單元電路，如與、或、非門，觸發(fā)器、輸入、輸出引腳等；mf宏功能庫，包括TTL數(shù)字邏輯單元如74系列芯片；而下文將要詳細介紹的參數(shù)化雙端口RAM模塊所在的參數(shù)化模塊庫(mega-lpm)中，包括各種參數(shù)化運算模塊(加、減、乘、除)、參數(shù)化存儲模塊(單、雙端口RAM、ROM、FIFO等)以及參數(shù)化計數(shù)器、比較器模塊等等。庫中的這些元件功能邏輯描述經(jīng)過了優(yōu)化驗證，是數(shù)字電路設計中的極好選擇。
      mega-lpm庫中共有五種參數(shù)化雙端口RAM模塊：ALTDPRAM、LPM_RAM_DP、CSDPRAM、LPM_RAM_DQ和LPM_RAM_IO。其中ALTDPRAM和LPM_RAM_DP模塊讀寫有兩套總線，讀和寫有各自的時鐘線、地址總線、數(shù)據(jù)總線和使能端，可同時進行讀寫操作。除此之外，ALTDPRAM模塊還有一個全局清零端口。CSDPRAM模塊則有a、b兩組寫端時鐘線、地址總線、數(shù)據(jù)總線和使能端，可同時對RAM進行寫操作，但對RAM讀、寫只能分時進行。LPM_RAM_DQ模塊相對簡單，讀與寫共用一組地址總線，有各自的數(shù)據(jù)線和時鐘線。LPM_RAM_IO模塊只有一組地址總線和數(shù)據(jù)總線。
      mega-1pm函數(shù)庫中的雙端口RAM模塊全是參數(shù)化調用，這為設計帶來極大的方便。通過對各種參數(shù)的取舍、參數(shù)設置和組合，再結合讀寫控制邏輯就可以構造出設計需要的存儲器模塊。雙端口RAM常見的應用模式主要有以下兩種：
      1．存儲器映像方式。該方式可以隨意對存儲器的任何單元進行讀寫操作。其主要應用于多CPU的共享數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)傳送等。該方式中，讀、寫控制線、地址總線和數(shù)據(jù)總線有兩套。根據(jù)兩端口之間數(shù)據(jù)的傳送方向為單向或雙向，又有單向數(shù)據(jù)總線和雙向數(shù)據(jù)總線之分。
      2．順序寫方式。該方式對RAM的寫操作只能順序寫入。這種情況適用于對象特性與時間緊密相關或傳送數(shù)據(jù)與順序密切相關的場合，如文件傳送、時序過程、波形分析等。根據(jù)寫控制邏輯的不同，可對RAM進行循環(huán)寫入或一次寫入方式。該方式下的讀操作可以是存儲器映像讀或順序讀，前一種有較大的靈活性，而后一種則類似于FIFO形式。
      在讀、寫使用獨立的地址總線和數(shù)據(jù)總線時，可以同時對RAM不同單元進行讀寫操作。根據(jù)不同控制邏輯的要求，對讀寫時鐘、時鐘使能端口可以適時設置，以滿足控制需要。